半导体 第7页

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台积电研究报告：芯片创新关键节点，半导体行业幕后推手

台积电研究报告：芯片创新关键节点，半导体行业幕后推手

台积电 芯片 半导体
传统周期叠加 AI 需求，晶圆代工有望迎来量价齐升：生成式 AI 的发展驱动算力芯片需求，与此同时消费电子的更新周期有望受益于端侧 AI 落地缩短。算力芯片方面，英伟达的 H 系列及未来的 B 系列，AMD 的 MI300 系列等 GPU 算力芯片以及谷歌、AWS 等云厂商自研的 ASIC 芯片均由台积电代工；终端消费产品方面，2024H2 公司重要客户苹果及高通即将推出下一代智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中的处理器均采用台积电先进制程代工。AI 算力芯片+终端消费产品需求有望带动台积电 3nm/5nm 先进制程芯片下半年的出货量分别实现同比增长 56.5%/30.3%，2024 年底台积电先进制程ASP 有望提升 5-10%。
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台积电研究报告：芯片创新关键节点，半导体行业幕后推手

台积电研究报告：芯片创新关键节点，半导体行业幕后推手

台积电 芯片 半导体
传统周期叠加 AI 需求，晶圆代工有望迎来量价齐升：生成式 AI 的发展驱动算力芯片需求，与此同时消费电子的更新周期有望受益于端侧 AI 落地缩短。算力芯片方面，英伟达的 H 系列及未来的 B 系列，AMD 的 MI300 系列等 GPU 算力芯片以及谷歌、AWS 等云厂商自研的 ASIC 芯片均由台积电代工；终端消费产品方面，2024H2 公司重要客户苹果及高通即将推出下一代智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中的处理器均采用台积电先进制程代工。AI算力芯片+终端消费产品需求有望带动台积电 3nm/5nm先进制程芯片下半年的出货量分别实现同比增长 56.5%/30.3%，2024 年底台积电先进制程 ASP 有望提升 5-10%。
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先进封装行业更新报告：大算力时代必经之路，关注COWOS及HBM投资链

先进封装行业更新报告：大算力时代必经之路，关注COWOS及HBM投资链

封装 算力 COWOS HBM 半导体
先进封装助力“超越摩尔”，聚焦 2.5D/3D 封装，HBM 快速迭代打破“存储墙”。根据 Yole，2028 年，先进封装市场规模将达到 786 亿美元，占总封装市场的 58%。其中，在人工智能、5G 通信和高性能计算等产业的推动下，2.5D/3D 封装成为行业黑马，预计到 2028 年，将一跃成为第二大先进封装形式。台积电先进封装主要基于 3D Fabric 技术平台，包括基于前端的 SoIC 技术、基于后端的 CoWoS 和 InFO 技术。三星先进异构封装，提供从 HBM 到 2.5D/3D 的交钥匙解决方案，包括了 2.5D i-Cube 和 3D X-Cube。Intel 2.5D/3D 封装则主要通过 EMIB和 Foveros 两个技术方案实现。台积电 COWOS 封装已经成为当前高性能计算的主流路线，持续供不应求，预计到 2024 年底，台积电CoWoS 封装月产能有望达到 3.6-4 万片。HBM 作为实现“近存计算”的必经之路，也成为海力士、三星、美光三大存储厂必争之地，而如何实现极薄尺寸、极小间距下 wafer 的堆叠与连接是 HBM 公司核心竞争力。
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半导体刻蚀设备行业研究：半导体制造核心设备，国产化之典范

半导体刻蚀设备行业研究：半导体制造核心设备，国产化之典范

半导体 国产
刻蚀：半导体制造三大核心设备之一。刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案，与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备，占半导体前道设备价值总量的22%，地位举足轻重。等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案，包括ICP和CCP两大类，ICP可用于硅、金属以及部分介质刻蚀，CCP主要用于介质刻蚀，两者市占率平分秋色。随着晶体管尺寸不断缩小，对刻蚀的精准度要求更高，原子层刻蚀（ALE）登场，其可以看做是ALD的镜像过程，具备自停止属性，刻蚀精度达单原子层级，已经应用于自对准接触等需原子级精密控制的工艺中，颇具潜力。
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2024中国半导体投资深度分析与展望

2024中国半导体投资深度分析与展望

半导体 国产
本文是一份关于中国半导体投资深度分析与展望的研究报告，由云岫资本提供。报告首先概述了中国半导体行业的发展现状，然后深入分析了半导体行业的各个细分领域，包括设备、材料、设计、IDM、电子元器件分销、制造封测、EDA等。接着，报告讨论了半导体行业的库存状况、融资情况、AI大模型的影响以及先进封装技术的发展。最后，报告对中国半导体行业的未来趋势进行了展望，并提出了投资建议。
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兆易创新研究报告：国内利基存储+MCU龙头，修炼内功穿越周期

兆易创新研究报告：国内利基存储+MCU龙头，修炼内功穿越周期

兆易创新 半导体
兆易创新不断演进“MCU百货商店”的定位与内涵,公司GD32 MCU产品已成功量产46个产品系列、超过600款MCU产品，实现对通用型、低成本、高性能、低功耗、无线连接等主流应用市场的全覆盖。海外先进厂商具有先发优势，全球排名第一、第二的国际厂商拥有几千个料号，公司在产品丰富度上还存在差距。MCU目前尚处于行业低谷期，公司修炼内功，积极开发新产品，不断进行新品的客户导入，已经有部分新产品在贡献营收和业绩。MCU市场规模较大，目前公司的全球市占率仅1%-2%，仍有广阔的成长空间。
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盛科通信研究报告：稀缺的国产以太网芯片领军

盛科通信研究报告：稀缺的国产以太网芯片领军

盛科通信 国产 以太网芯片 半导体
盛科通信：近二十年沉淀的国产交换芯片领军。按 2020 年销售额口径计算，公司以 1.6%的份额在中国商用以太网交换芯片市场的境内厂商中排名第一。中国振华第一大股东，国有股东背景依托+公司自主控制权；核心管理层技术背景，曾任职于思科、华为等大厂，研发创新强度高。以太网交换芯片贡献超七成，营收维持高增速，利润有望迎拐点。
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芯片散热产业链专题报告：从风冷到液冷，AI驱动产业革新

芯片散热产业链专题报告：从风冷到液冷，AI驱动产业革新

芯片散热 人工智能 半导体
电子设备发热的本质原因就是工作能量转化为热能的过程。散热是为解决高性能计算设备中的热管理问题而设计的，它们通过直接在芯片或处理器表面移除热量来优化设备性能并延长使用寿命。随着芯片功耗的提升，散热技术从一维热管的线式均温，到二维VC的平面均温，发展到三维的一体式均温，即3D VC技术路径，最后发展到液冷技术。
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SK海力士研究报告：“先发+技术”铸就HBM护城河，能否继续保持领先？

SK海力士研究报告：“先发+技术”铸就HBM护城河，能否继续保持领先？

海力士 半导体
HBM 战场三足鼎立，海力士制程与键合技术有望保持领先美光和三星 HBM 在内存产品里技术壁垒较高，竞争格局三足鼎立。海力士 1-β制程和键合技术保持领先。24 年以来，尽管先前“HBM3 独供”格局已被打破，但通过背靠英伟达并持续拓展客户，海力士 HBM 需求基础仍然稳固，同时键合良率已近 80%。相较美光，海力士具有产能和良率稳健双重优势，可更充分受益于下游需求增长；而三星截至 24 年 5 月仍未进入英伟达供应链。
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中国智能汽车车载计算芯片产业报告

中国智能汽车车载计算芯片产业报告

半导体
《报告》围绕行业概况、落地场景、未来趋势三大方向，对当前中国智能汽车车载计算芯片行业进行了梳理和剖析，为国内上下游产业链企业及行业人士洞察市场先机提供重要参考。《报告》指出，依托于Arm架构的车载计算芯片将在智能座舱与自动驾驶中扮演愈发重要的角色，将有力地推动车载芯片行业的不断繁荣。
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兆易创新分析报告：Nor&MCU龙头，车规布局蓄势待发

兆易创新分析报告：Nor&MCU龙头，车规布局蓄势待发

兆易创新 Nor MCU 车规 半导体
Nor Flash：全球 Nor Flash 龙头，车规级带动增量。Nor Flash 的应用主要集中于手机模组、网络通讯、数字机顶盒、汽车电子等消费领域。随着汽车电子、智能可穿戴设备等产业的需求持续扩张，Nor 有望迎来新的发展机遇。Nor Flash 龙头主要为台系与陆系厂商，兆易创新 21、22 年全球排名第三、23 年全球排名第二。公司提供 16 种容量选择，覆盖 512Kb 到2Gb，可满足多种实时操作系统所需的不同存储空间；并拥有四种不同电压范围，分别为 3V、1.8V、1.2V 以及针对电池供电应用推出的 1.65V~3.6V宽压供电的产品系列；同时，提供多达 27 种不同的封装选项，可满足客户不同应用领域对容量、电压以及封装形式的需求。
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射频前端行业专题报告：5G时代崭露锋芒，高端产品加速渗透

射频前端行业专题报告：5G时代崭露锋芒，高端产品加速渗透

射频前端 5G 半导体
通信协议的升级持续推动射频前端器件复杂性提升，在 4G 时代已有体现。为应对这种复杂性带给运营商、终端厂商、器件厂商的困扰，由 MTK 发起的 Phase 系列方案为市场提供了一种规范化、兼容化的射频前端方案，至今已成为公开市场主流。5G 时代进一步迭代后，射频前端已基本收敛为 Phase7 系列方案（演进至 Phase7L/7LE）及 Phase5N方案。二者在 Sub-6GHz 频段方案相同，均为 L-PAMiF 集成模组；在Sub-3GHz 频段分别为 PAMiD 模组和分立方案。随着 5G 发展进入后半程，5.5G&6G 新标准接踵而至，6G 在 5G 原有基础上新增三大类场景：无处不在，AI 集成，感知集成，并对射频无线通信网络能力提出更高要求，有望带来万物突破能力边界的新机遇。
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