海力士

根据 SK 海力士官网信息，SK 海力士 1Q24 实现 HBM3E 出货英伟达，并在 2024 年 5 月 HBM3E 良率提升接近80%。根据公司 2Q24 业绩会，其 12 层 HBM3E 产品也有望于 2025 年大规模量产。除现有产能外，SK 海力士规划了 M15X 及韩国龙仁新产能以扩展新一代 DRAM 和 HBM，我们预计其 2024/25 年资本开支达 15.2/21.1 万亿韩元，并预计其 2025 年 HBM 产品出货量或超 4,400 万个堆栈。展望 2026-2027 年，在 HBM4 产品方面，美光和三星电子或与 SK海力士激烈争夺市占率，两家公司可能会逐步采用混合键合技术并基于客户优势拿下 SK海力士的部分份额。但我们认为，从产品出货量和收入增长角度来看， SK 海力士基于其MR-MUF 工艺和产能优势，产品出货量有望持续提升，我们预计其 2026-27 年 HBM 出货量分别达 6,040/7,690 万个堆栈。

HBM 战场三足鼎立，海力士制程与键合技术有望保持领先美光和三星 HBM 在内存产品里技术壁垒较高，竞争格局三足鼎立。海力士 1-β制程和键合技术保持领先。24 年以来，尽管先前“HBM3 独供”格局已被打破，但通过背靠英伟达并持续拓展客户，海力士 HBM 需求基础仍然稳固，同时键合良率已近 80%。相较美光，海力士具有产能和良率稳健双重优势，可更充分受益于下游需求增长；而三星截至 24 年 5 月仍未进入英伟达供应链。