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AI算力产业专题报告：NVIDIA GB200，重塑服务器铜缆液冷HBM价值

AI算力产业专题报告：NVIDIA GB200，重塑服务器铜缆液冷HBM价值

AI 算力 NVIDIA HBM
NV Blackwell 系列或于 2024Q4 推出，有望提升机柜、铜缆、液冷、HBM 四个市场的价值量。具体内容如下： Blackwell 系列：GB200 计算能力远超 H100，采用台积电 N4P 制程，双芯片架构，192GB HBM3E，AI 算力达 20petaFLOPS（FP4）。GB200 机架有 4 种不同外形尺寸可定制，其 NVL72 与 H100 相比，将训练速度提高 30 倍。Meta、Alphabet（谷歌）、微软、亚马逊等互联网厂商均增加 2024 年资本开支指引。
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SK海力士研究报告：HBM核心受益标的，工艺和客户优势明显

SK海力士研究报告：HBM核心受益标的，工艺和客户优势明显

SK 海力士 HBM 半导体
根据 SK 海力士官网信息，SK 海力士 1Q24 实现 HBM3E 出货英伟达，并在 2024 年 5 月 HBM3E 良率提升接近80%。根据公司 2Q24 业绩会，其 12 层 HBM3E 产品也有望于 2025 年大规模量产。除现有产能外，SK 海力士规划了 M15X 及韩国龙仁新产能以扩展新一代 DRAM 和 HBM，我们预计其 2024/25 年资本开支达 15.2/21.1 万亿韩元，并预计其 2025 年 HBM 产品出货量或超 4,400 万个堆栈。展望 2026-2027 年，在 HBM4 产品方面，美光和三星电子或与 SK海力士激烈争夺市占率，两家公司可能会逐步采用混合键合技术并基于客户优势拿下 SK海力士的部分份额。但我们认为，从产品出货量和收入增长角度来看， SK 海力士基于其MR-MUF 工艺和产能优势，产品出货量有望持续提升，我们预计其 2026-27 年 HBM 出货量分别达 6,040/7,690 万个堆栈。
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存储芯片行业专题报告：HBM算力卡核心组件，国内产业链有望受益

存储芯片行业专题报告：HBM算力卡核心组件，国内产业链有望受益

存储芯片 HBM 算力 国内 产业链
随着数据中心的快速发展和高性能计算需求的激增，HBM（高带宽内存）算力卡作为其核心组件，正逐步成为提升系统性能的关键。HBM技术通过集成多个内存芯片于单一封装内，显著提高了数据传输速度和带宽，对AI、大数据处理等领域具有重要意义。本报告深入分析了HBM算力卡的市场前景及技术趋势，指出国内存储芯片产业链在HBM技术的推动下有望迎来新的发展机遇，特别是在封装测试、材料供应等环节，有望实现技术突破与市场份额的增长。 面对全球对HBM算力卡需求的持续增长，国内存储芯片产业链有望深度参与其中并显著受益。从原材料供应到芯片设计、制造，再到封装测试，国内企业正逐步构建起完整的HBM产业链生态。政府政策的支持、技术创新的加速以及市场需求的拉动，将为国内企业在HBM领域的快速发展提供强大动力。未来，随着技术门槛的逐步降低和市场规模的持续扩大，国内存储芯片产业链有望实现更广泛的国际合作与竞争，进一步提升在全球市场的影响力。
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电子行业2024年中期策略：端侧AI应用有望引领创新周期并带动硬件升级，国产HBM项目或拉动先进封装需求

电子行业2024年中期策略：端侧AI应用有望引领创新周期并带动硬件升级，国产HBM项目或拉动先进封装需求

人工智能 HBM 半导体
随着端侧 AI 应用的成熟，AI 手机和 AI PC 有望迎来换机潮并带动 SoC/CPU、存储、传感器、散热和电池等领域硬件的升级。以 AI+AR 眼镜为代表的 AIoT产品有望成为消费电子终端创新新品。国际龙头加码 HBM 扩产，国产 HBM亦有望拉动先进封装需求。
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电子行业HBM专题分析：逐鹿顶尖工艺，HBM4的三国时代

电子行业HBM专题分析：逐鹿顶尖工艺，HBM4的三国时代

HBM 电子
算力需求澎湃催化 HBM 技术快速迭代。目前 HBM 已然成为 AI 服务器、数据中心、汽车驾驶等高性能计算领域的标配，未来其适用市场仍在不断拓宽。2024 年的 HBM 需求位元年成长率近 200%，2025 年可望再翻倍。受市场需求催化，当前 HBM 的开发周期已缩短至一年。针对 HBM4，各买方也开始启动定制化要求，未来 HBM 或不再排列在 SoC 主芯片旁边，亦有可能堆叠在 SoC 主芯片之上。垂直堆叠技术在散热，成本，分工等方面也带来了新的挑战。受先进制程技术和资金投入规模的限制，目前，只有 SK 海力士、美光和三星有能力生产兼容 H100 等高性能 AI 计算系统的HBM 芯片。23 年海力士市场份额为 53%，三星市场份额为 38%，美光市场份额为 9%。海力士具有先发优势，但三星有望通过其一站式策略抢占市场份额。
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HBM专题报告：高带宽特性释放AI硬件性能，AI高景气持续驱动需求高增

HBM专题报告：高带宽特性释放AI硬件性能，AI高景气持续驱动需求高增

HBM 人工智能
随着AI技术的迅猛发展，尤其是像GPT-3这样的大模型对算力和数据处理能力提出了前所未有的需求，传统的内存技术如DDR在面对海量参数和数据传输时显得力不从心。为此，高带宽内存技术HBM（High Bandwidth Memory）脱颖而出，成为AI时代的明星内存解决方案。HBM以其卓越的带宽性能、低能耗以及低延迟特性，为AI硬件和系统性能的释放提供了强大支持。 目前，HBM技术已经迭代至第五代HBM3e，其内存带宽相比前代实现了显著提升，达到1.2TB/s，同时堆叠层数增加至最多12层，最高容量可达36GB，为高性能计算和AI应用提供了更为充足的资源。鉴于HBM市场的火爆需求，SK海力士等领先厂商已积极布局，计划提前推出更先进的HBM4技术，以应对未来的市场增长。
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先进封装行业更新报告：大算力时代必经之路，关注COWOS及HBM投资链

先进封装行业更新报告：大算力时代必经之路，关注COWOS及HBM投资链

封装 算力 COWOS HBM 半导体
先进封装助力“超越摩尔”，聚焦 2.5D/3D 封装，HBM 快速迭代打破“存储墙”。根据 Yole，2028 年，先进封装市场规模将达到 786 亿美元，占总封装市场的 58%。其中，在人工智能、5G 通信和高性能计算等产业的推动下，2.5D/3D 封装成为行业黑马，预计到 2028 年，将一跃成为第二大先进封装形式。台积电先进封装主要基于 3D Fabric 技术平台，包括基于前端的 SoIC 技术、基于后端的 CoWoS 和 InFO 技术。三星先进异构封装，提供从 HBM 到 2.5D/3D 的交钥匙解决方案，包括了 2.5D i-Cube 和 3D X-Cube。Intel 2.5D/3D 封装则主要通过 EMIB和 Foveros 两个技术方案实现。台积电 COWOS 封装已经成为当前高性能计算的主流路线，持续供不应求，预计到 2024 年底，台积电CoWoS 封装月产能有望达到 3.6-4 万片。HBM 作为实现“近存计算”的必经之路，也成为海力士、三星、美光三大存储厂必争之地，而如何实现极薄尺寸、极小间距下 wafer 的堆叠与连接是 HBM 公司核心竞争力。
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HBM行业专题报告：跨越带宽增长极限，HBM赋能AI新纪元

HBM行业专题报告：跨越带宽增长极限，HBM赋能AI新纪元

HBM 人工智能
随着人工智能的兴起，对高算力和带宽的需求推动了存储的发展。相较于传统的DRAM，HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗，突破了传统内存的限制，适应AI时代的新需求。目前全球市场由海力士、三星和美光主导，中国厂商如武汉新芯、长鑫存储和华为也在积极推进HBM国产化，市场供需缺口仍持续扩大，DRAM涨价周期叠加AI驱动下，HBM价格预计继续上涨，市场规模预计在2024年达到约70亿美金。
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精智达研究报告：面板+存储测试双轮驱动，前瞻布局HBM设备

精智达研究报告：面板+存储测试双轮驱动，前瞻布局HBM设备

精智达 面板 存储 HBM
本土显示检测设备厂商，拓展半导体存储器件测试设备领域。精智达创立于 2011 年 5月，主要从事新型显示器件检测设备的研发、生产和销售业务，产品广泛应用于以 AMOLED 为代表的新型显示器件制造中光学特性、显示缺陷、电学特性等功能检测及校准修复。同时，公司基于自身在新型显示器件检测领域的技术积累，面向半导体存储器件行业布局了晶圆测试系统、老化修复系统、封装测试系统等产品线。目前，在新型显示器件行业，公司主要客户包括京东方、TCL 科技、维信诺股份、深天马等；在半导体测试设备领域，公司探针卡产品、老化修复设备、老化修复治具板均已通过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩，并已成为其第二供应商。此外，公司还在积极布局存储 CP 试机、FT 测试机等产品，并配合客户开发针对 HBM 的存储测试设备，以扩产自身产品矩阵。
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