先进封装是“超越摩尔”思路下提升芯片性能的重要路径。封装工艺已实现由“封”向“构”升级，发展出如 FC、FO、WLCSP、SiP 和 2.5D/3D 等先进封装，优势明显（性能高、成本低、面积小、周期短等），应用边际不断拓宽。AI 应用打开 CoWoS 封装成长空间：CoWoS 是台积电开发的 2.5D 封装工艺，在 AI 时代实现放量。AI 芯片对更强算力和更多内存的需求，驱动 CoWoS-S（硅中介层）向更大尺寸发展，在此过程中，复杂工艺带来良率挑战，中介层尺寸提升引起成品率下降。为平衡成本和性能，CoWoS-R 与 CoWoS-L 应运而生，相比而言，CoWoS-L 采用“局部硅互联+RDL”作为中介层，有效规避了大尺寸硅中介层带来的问题，同时保留了硅中介层的优良特性，或成为未来发展的重点。2024 年台积电已实现 CoWoS-L 量产，英伟达的 Blackwell 系列 GPU 采用该工艺。
