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半导体行业专题报告：端侧大模型近存计算，定制化存储研究框架

半导体行业专题报告：端侧大模型近存计算，定制化存储研究框架

半导体 大模型 存储
大模型赋能端侧AI。在人工智能的飞速发展中，大型语言模型（LLMs）以其在自然语言处理（NLP）领域的革命性突破，引领着技术进步的新浪潮。自2017年Transformer架构的诞生以来，OpenAI的GPT系列到Meta的LLaMA系列等一系列模型崛起。这些模型传统上主要部署在云端服务器上，这种做法虽然保证了强大的计算力支持，却也带来了一系列挑战：网络延迟、数据安全、持续的联网要求等。这些问题在一定程度上限制了LLMs的广泛应用和用户的即时体验。正因如此，将LLMs部署在端侧设备上的探索应运而生，不仅能够提供更快的响应速度，还能在保护用户隐私的同时，实现个性化的用户体验。端侧AI市场的全球规模正以惊人的速度增长，预计从2022年的152亿美元增长到2032年的1436亿美元，这一近十倍的增长不仅反映了市场对边缘AI解决方案的迫切需求，也预示着在制造、汽车、消费品等多个行业中，端侧AI技术将发挥越来越重要的作用。
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半导体存储行业专题报告：近存计算3DDRAM，AI应用星辰大海

半导体存储行业专题报告：近存计算3DDRAM，AI应用星辰大海

半导体 存储 AI
DRAM三构成：1）存储单元（Cell ），占据50%-55%面积：存储单元是DRAM芯片存储数据的最小单元，每个单元存储1bit数据（二进制0或1），单颗DRAM芯片的容量拓展主要是通过增加存储单元的数量实现（即提高单位面积下的存储单元密度），存储单元基本占据了DRAM芯片50-55%的面积，是DRAM芯片最核心的组成部分。1个存储单元由1个晶体管和1个电容器构成（1T1C结构），晶体管控制对存储单元的访问，电容器存储电荷来表示二进制0或1。2）外围逻辑电路（Core），占据25-30%面积：由逻辑晶体管和连接 DRAM 各个部分的线路组成，从存储单元中选择所需存储单元，并读取、写入数据，包括感应放大器（ Sense Amplifiers ）和字线解码器（Word Line Decoders）等结构，如感应放大器被附加在每个位线的末端，检测从存储单元读取非常小的电荷，并将信号放大信号，强化后的信号可在系统其他地方读取为二进制1或0。3）周边线路（Peripheral），占据20%左右面积：由控制线路和输出线路构成。控制线路主要根据外部输入的指令、地址，让DRAM内部工作。输出/输入线路负责数据的输入（写入）、输出（读取）。
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存储行业专题分析：AI驱动下的国产企业级SSD机遇

存储行业专题分析：AI驱动下的国产企业级SSD机遇

存储 AI
AI应用兴起全球算力快速增长，数据存储加速升级。随着视频、图像数据越来越多保存下来并用于模型训练，华为预计到2030年，全球每新增1YB数据，用于模型训练的数据量有望增长1000倍至400EB，大模型训练，需要实时访问的热数据增加，传统的热、温、冷三层数据将变为热、温冷两层数据，数据比例有望从 20%:30%:50% 到30%:70%，冷数据的价值被激活。
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兆易创新研究报告：存储业务砥砺前行，MCU业务方兴未艾

兆易创新研究报告：存储业务砥砺前行，MCU业务方兴未艾

兆易创新 存储 MCU 芯片
兆易创新是一家聚焦存储器技术和 IC 解决方案的芯片设计公司，公司成立于 2005 年，现已形成三大系列的业务矩阵，分别为存储芯片、微控制器，以及传感器。 公司 NOR Flash 产品广泛应用于工业、汽车、消费电子、PC 及周边、网络通信、物联网及移动设备等各个领域，据 Web-Feet Research 报告显示，公司 2023 年 Serial NOR Flash 市占率排名进一步提升至全球第二位。公司 NAND Flash 产品属于 SLC NAND，在消费电子、工业、汽车电子、通讯等领域已经实现了全品类的产品覆盖。公司自有品牌 DRAM 产品积极切入利基市场（消费、工控等），并已推出 DDR3L、DDR4 等产品。
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美光科技研究报告：存储行业巨擘，AI时代大有可为

美光科技研究报告：存储行业巨擘，AI时代大有可为

美光科技 存储 AI
美光科技是全球存储行业巨头，已在 DRAM 和 NAND Flash 领域建立了显著的市场份额和技术优势，是全球仅有的三大 HBM 原厂之一。AI 时代下，HBM 成为整个存储领域的重要增长点，美光科技跳过 HBM3 直接成功研发 HBM3E 实现弯道超车，进度追平海力士，先于三星电子获得英伟达验证与订单。本轮全球半导体周期于 2023 年触底，2024 年开始有所回升，AI 需求红利仍将延续，虽然短期内受 PC 和智能手机端需求疲软和暂时的买方去库存策略影响，DRAM 涨幅受限、NAND 略有下调，但中长期来看，随着AI 应用在端侧设备中的升级以及大模型逐步在端侧进行本地化部署，单位设备 DRAM 与 NAND 容量将持续增长，同时端侧设备的AI 升级也将加速新一轮换机潮到来。
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江波龙研究报告：TCM模式升级突破模组天花板，打造国内”航母级”半导体存储龙头

江波龙研究报告：TCM模式升级突破模组天花板，打造国内”航母级”半导体存储龙头

江波龙 半导体 存储
江波龙 2023 年营收突破百亿规模，主营业务包含四大类：嵌入式存储/固态硬盘/移动存储/内存条，其营收占比分别为 43.7%/27.7%/23.0%/5.1%。董事长蔡华波：25年深耕存储事业，打造国内“航母级”半导体存储龙头。自 1999 年创立江波龙至今，蔡董事长持续深耕存储事业，带领公司从存储贸易到存储代工，继而到自主开发技术性产品，再到现在成为兼具技术、品牌技规模的综合型半导体存储企业，市场地位领先。据 Omdia 数据，2021年 Lexar 存储卡及 Lexar 闪存盘(U 盘)均排名全球市占第三。
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电子行业专题报告：看好国产存储供应链机遇，材料篇

电子行业专题报告：看好国产存储供应链机遇，材料篇

电子 国产 存储 半导体
我们看好国产内存及供应链机遇：1）本轮半导体周期低点已过，全球及国产存储厂商产品价格、稼动率已逐步修复。2024 年 DRAM 厂商资本开支同比重返增长，同时我们看到 ASML 等海外设备龙头来自存储下游的订单占比提升。2）HBM供不应求，先进封装带动封测供应链升级。3）中国大陆 DRAM 投片量占全球比重仅约 10%，显著低于中国大陆半导体销售额全球占比约 30%的水平，大基金三期落地，DRAM 自主化需求空间广阔。4）坚定不移推进集成电路产业链自主可控，半导体设备、材料国产化加速渗透。
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兆易创新研究报告：存储+MCU国内龙头，自研DRAM打开成长空间

兆易创新研究报告：存储+MCU国内龙头，自研DRAM打开成长空间

兆易创新 存储 MCU DRAM 半导体
存储+MCU 业务贡献稳定增量，自研 DRAM 业务打开公司成长空间 公司是大陆存储+MCU 双领域龙头企业，产品生态完善，不同品类间能够相互协同。主营业务方面，NOR Flash 和 MCU 是公司目前的核心产品，市场地位稳固，截至 2023H1，公司在全球 NOR Flash 市场排名第二，在中国 Arm 通用型MCU 市场排名第一。未来随着利基存储和 MCU 等行业景气度逐步复苏以及车规级产品的加速放量，公司业绩有望重返成长快车道，我们预计公司 2024-2026年归母净利润为 11.52/17.28/23.12 亿元，对应 EPS 为 1.73/2.59/3.47 元，对应业绩增速为 614.8%/50.1%/33.8%，2024 年 7 月 23 日股价对应 PE 分别为51.4/34.3/25.6 倍，维持“买入”评级。
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美光科技（MU.O）深度报告：存储周期与算力需求共振，AI时代大展宏图

美光科技（MU.O）深度报告：存储周期与算力需求共振，AI时代大展宏图

美光科技 存储 算力 人工智能
重塑存储巨头美光：AI时代的存力领航者 美光科技，自1978年创立以来，始终屹立于全球存储行业的巅峰，其总部坐落于美国，业务版图横跨DRAM、NAND及NOR三大核心领域，并深化至各类模组产品的研发与生产。通过一系列精明的外延并购与不懈的内生增长策略，美光已稳稳占据全球存储市场的关键席位。据CFM闪存市场权威数据揭示，2023年，美光在DRAM与NAND市场的占有率分别高达23.90%与10.80%，彰显了其强大的市场竞争力。 从传统到AI的跨越：存力新篇章
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兆易创新研究报告：“存储+MCU+传感”平台公司，受益于下游需求持续复苏

兆易创新研究报告：“存储+MCU+传感”平台公司，受益于下游需求持续复苏

兆易创新 存储 MCU 传感 半导体
多领域深耕的IC设计领军企业，引领“存储+MCU+传感”创新潮流 作为国内“存储+MCU+传感”领域的领军企业，该公司凭借其全面的产品线覆盖，成功在消费、工业及汽车市场占据一席之地。公司坚持研发驱动，精准把握国产替代的机遇以及行业周期性的反转趋势，通过持续的技术创新与市场拓展，不断拓宽其盈利空间。 存储芯片市场回暖，多产品线并驾齐驱 随着存储市场的逐步回暖，Flash行业再次焕发生机。公司凭借在NOR Flash领域的深厚积累，出货量在2023年达到历史新高，并计划在2024年继续巩固其市场领先地位。同时，公司也在NAND产品线上持续发力，特别是在汽车和工业市场，GD5F全系列产品已通过AEC-Q100车规级认证，与SPI NOR Flash形成互补，为汽车电子市场的进一步拓展奠定坚实基础。此外，公司在DRAM领域同样展现出强劲的研发实力，利基型DDR3L、DDR4产品覆盖广泛容量范围，并积极推进更先进工艺制程下的DRAM技术，与国内顶尖供应链伙伴紧密合作，共同推动DRAM业务的持续成长。
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电子行业专题报告：看好国产存储供应链机遇之设备篇

电子行业专题报告：看好国产存储供应链机遇之设备篇

汽车电子 国产 存储 供应链
本轮半导体周期低点已过，全球及国产存储厂商产品价格、稼动率已逐步修复。2024 年 DRAM 厂商资本开支同比重返增长，同时我们看到 ASML 等海外设备龙头来自存储下游的订单占比提升。AI 服务器加速渗透，我们测算 2024 年全球 HBM市场规模超过 110 亿美金，行业供不应求加速成长。AI PC、AI Phone 单机内存容量提升，有望引领开启下一轮存储大周期。
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普冉股份研究报告；存储业务高速增长，“MCU+模拟”打开成长空间

普冉股份研究报告；存储业务高速增长，“MCU+模拟”打开成长空间

普冉股份 存储 MCU 模拟 半导体
普冉股份于 2016 年成立，已发展成为国内领先的存储芯片设计厂商，产品下游覆盖消费、汽车、工业等众多领域，已打入荣耀、三星、小米等众多知名客户供应链；同时，公司着力推进“存储+”战略，布局 MCU 及模拟线业务，长期成长动力充足。23 年公司去库存成效显著叠加新品放量，全年实现营收 11.27 亿元，同比+21.87%。24Q1 伴随下游消费等领域需求复苏，公司实现营收 4.05 亿元，同比+98.5%；实现扣非归母净利润 0.62 亿元，同比+233.0%。根据公司 6 月 19 日公告，24 年 4 月至 5 月实现营收约 3.38 亿元，同比增长约 131%，在手订单约 1.7 亿元（含税），经营持续向好。
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