美光科技（MU.O）深度报告：存储周期与算力需求共振，AI时代大展宏图
重塑存储巨头美光：AI时代的存力领航者
美光科技，自1978年创立以来，始终屹立于全球存储行业的巅峰，其总部坐落于美国，业务版图横跨DRAM、NAND及NOR三大核心领域，并深化至各类模组产品的研发与生产。通过一系列精明的外延并购与不懈的内生增长策略，美光已稳稳占据全球存储市场的关键席位。据CFM闪存市场权威数据揭示，2023年，美光在DRAM与NAND市场的占有率分别高达23.90%与10.80%，彰显了其强大的市场竞争力。
从传统到AI的跨越：存力新篇章
在稳固传统存储市场领先地位的同时，美光敏锐洞察AI时代的浪潮，积极布局云端数据中心与终端AI设备市场，成为AI存力需求激增的直接受益者。针对云端应用，美光推出了包括HBM（高带宽内存）、高端RDIMM及CXL内存在内的一系列创新产品，精准满足AI训练与推理的严苛需求。尤为值得一提的是，美光的HBM3E已成功搭载于英伟达H200 Tensor Core GPU之上，其基于32Gb DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM亦实现量产出货，进一步巩固了其在高端存储解决方案领域的领先地位。
供需双轮驱动：存储市场的上行之旅
当前，存储行业正步入一个由供给紧缩与需求激增共同驱动的新一轮上行周期。三星、美光及海力士等存储巨头纷纷采取减产措施并约束资本支出，导致传统存储产品供应增长受限。与此同时，HBM等新技术因其高带宽、低功耗的显著优势，成为市场的新宠，但其生产复杂度高、晶圆需求量大，进一步加剧了传统存储产品的产能挤占现象。在需求端，AI的蓬勃发展成为推动存储需求增长的主要动力，无论是云端训练与推理的庞大需求，还是终端AI设备单机存储用量的提升，都为存储市场带来了前所未有的增长机遇。
HBM市场的崛起：美光的后发先至
作为算力硬件突破内存墙瓶颈的关键技术，HBM市场初期由海力士与三星主导。然而，美光凭借其在技术创新上的不懈追求，后发先至，成功推出性能卓越的HBM3E产品，不仅带宽高达1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，较竞品性能提升约10%，功耗更节省约30%，迅速在市场中占据一席之地。展望未来，美光已规划在2025年发布36GB 12-High HBM3E，并计划在2026年推出下一代HBM4产品，持续引领HBM技术潮流。
市场反馈热烈，美光FY24Q3季报显示，其2024年及2025年的HBM产能已全部预售一空，预示着HBM业务将迎来爆发式增长。美光对未来充满信心，预计将在HBM市场取得与DRAM市场相媲美的市场份额，开启存储领域的新篇章。
